意法半導體新推出的SLLIMM™-nano智能(néng)功率模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多元器件，加快(kuài)300W以下(xià)低(dī)功率電機驅動器研發，簡化組裝過程。

3A和(hé)5A 模塊内置當前*********的600V超結MOSFET，最大(dà)限度提升空(kōng)氣壓縮機、風(fēng)扇、泵等設備的能(néng)效。各種直列引腳或Z形引腳封裝有助于優化空(kōng)間占用(yòng)率，确保所需的引腳間距。内部開(kāi)孔選項讓低(dī)價散熱器的安裝更容易。此外(wài)，發射極開(kāi)路輸出分開(kāi)設計(jì)可簡化PCB闆單路或三路Shunt (分流電阻)電流監視(shì)走線。

每個IPM模塊都包含由六支MOSFET組成的三相半橋和(hé)一個高(gāo)壓栅驅動芯片。新增功能(néng)有助于簡化保護電路和(hé)防錯電路設計(jì)，包括一個用(yòng)于檢測電流的未使用(yòng)的運放(fàng)、用(yòng)于高(gāo)速錯誤保護電路的比較器和(hé)用(yòng)于監視(shì)溫度的可選的NTC (負溫度系數)熱敏電阻，還集成一個自(zì)舉二極管，以降低(dī)物料清單(BOM)成本，簡化電路闆布局設計(jì)。智能(néng)關斷電路可保護功率開(kāi)關管，欠壓鎖保護(UVLO)預防低(dī)Vcc或Vboot電壓引起的功能(néng)失效。

超結MOSFET在25°C時(shí)通态電阻隻有1.0Ω，最大(dà) 1.6Ω ，低(dī)電容和(hé)低(dī)栅電荷可最大(dà)限度降低(dī)通态損耗和(hé)開(kāi)關損耗，從(cóng)而提升20kHz以下(xià)硬開(kāi)關電路的能(néng)效，包括各種工(gōng)業電機驅動器，準許低(dī)功率應用(yòng)無需使用(yòng)散熱器。此外(wài)，優化的開(kāi)關di/dt和(hé)dV/dt上(shàng)升速率确保EMI幹擾處于一個較低(dī)的級别，可以進一步簡化電路的設計(jì)布局。

新模塊的最高(gāo)額定結溫是150°C，取得了(le)UL 1557認證，電絕緣級别高(gāo)達1500Vrms/min。